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专利技术
AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的制作方法
发布时间:2020-06-01   来源:

该专利公开了一种AIGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AIN成核层、高温AIN成核层、本征AIGaN外延层、n-AIGaN势垒层、有源区、p-ALGaN势垒层、低AI组分pAIGaN层、pGaN冒层,以及在pGaN冒层设有的窗口区。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至低AI组分的p-AIGaN,形成了圆柱状的出射光窗口,其后对其进行光辅助湿法刻蚀,将柱状出射光窗口变为雷半球状窗口,在增大了窗口的出射孔径的同时,又能使窗口区的材料表面得到了粗化,极大的提高了出射光的功率和效率。该发明工艺简单,重复性好,可靠性高,可用于水处理,医疗、生物医学场合以及白光照明中。

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